超前台積電 三星發表全球首款3奈米晶片

（中央社首爾25日綜合外電報導）韓國三星電子今天發表全球首款3奈米晶片，比競爭對手台積電搶先一步。韓國官員承諾，政府將在構建半導體生態系統方面提供全方位支援。

韓聯社報導，三星電子（Samsung Electronics Co.）今天在京畿道華城廠區內的極紫外光（EUV）專用V1生產線，舉行了適用新一代閘極全環電晶體（Gate-all-around，GAA）技術的3奈米晶片產品出廠紀念活動。

據報導，韓國產業通商資源部長李昌洋、三星電子DS本部長慶桂顯、以及員工和合作商有關人士共100多人出席了這場活動。

三星電子上月底才宣布全球首款基於GAA技術的3奈米工藝半導體產品投入量產。3奈米工藝是半導體製作工程中最為尖端的製程技術，三星電子為超越台積電和英特爾（Intel）等競爭對手，率先推出該技術。

與此前使用鰭式場效電晶體（FinFET）的晶片相比，這項新產品採用晶片面積更小、電耗減少、性能提升的GAA技術，在技術層面意義重大。

三星電子自2000年代初期開始啟動GAA技術研究，2017年將其用於3奈米製程，近期投入量產。三星電子晶圓代工事業部表示，將以創新技術邁向全球最高頂點。

李昌洋承諾，以日前政府公布的半導體強國發展戰略為基礎，政府將在構建半導體生態系統方面提供全方位支援。

三星電子將首次把3奈米GAA工藝用於高速運算（HPC），並計劃與主要合作商攜手將其擴至系統單晶片（SoC）等多種產品群。

三星電子計劃繼華城廠區之後，在平澤廠區也投入量產GAA技術的3奈米晶片。（譯者：陳正健/核稿：林治平）1110725

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