聯電通過324億元資本預算 擴建南科及新加坡廠

（中央社記者張建中台北14日電）聯電董事會今天通過資本預算執行案，預計投資金額達新台幣324.17億元，將主要用於建置南科晶圓12A廠P6廠區及新加坡P3廠。

聯電指出，南科晶圓12A廠P6廠區與新加坡P3廠共計將投資100億美元，逾新台幣3000億元，將於3、4年內完成投資。

其中，新加坡P3廠位於白沙晶片園（Pasir Ris Wafer Park），預計2025年量產，以22奈米及28奈米製程生產。因缺工缺料及機台交期長的影響，量產時程將較原先規劃的2024年底延遲超過1季時間。

聯電表示，南科晶圓12A廠P6廠區與新加坡P3廠投資金額將以自有資金支應，並不會對未來股利發放造成影響，將維持穩定配發率。（編輯：林淑媛）1111214

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