DRAM廠增加投片 集邦：HBM排擠仍可能供不應求

（中央社記者張建中新竹20日電）市調機構集邦科技今天表示，動態隨機存取記憶體（DRAM）供應商開始提高先進製程投片，產能預計於今年下半年提升，不過各廠產能規劃以高頻寬記憶體（HBM）為優先，預期在產能排擠下，DRAM產品仍可能供不應求。

集邦科技今天發布新聞稿，對DRAM市況提出最新看法。集邦科技指出，隨著記憶體合約價翻揚，DRAM供應商開始增加資金投入，提高先進製程投片，估計產能將於今年下半年提升。

集邦科技表示，HBM產品因獲利較佳，且需求持續增加，DRAM廠產能規劃以HBM產品為優先，但受限於良率僅50%至60%，晶圓面積大，估計至今年底占先進製程比重約35%，其餘先進製程產能則生產DDR5及LPDDR5產品。

HBM3E將是HBM市場主流規格產品，集邦科技指出，SK海力士（Hynix）仍是主要供應商，美光（Micron）也開始出貨AI晶片廠輝達（NVIDIA），三星（Samsung）預計第2季完成驗證，於今年中開始出貨。

集邦科技表示，DDR5及LPDDR5規格產品今年滲透率將逐步提升，預估至今年底DDR5滲透率將逾50%，成為市場主流。

集邦科技指出，包括三星、SK海力士及美光皆有擴產計畫，新廠預計2025年陸續完工，預期在產能排擠影響下，DRAM產品仍可能供不應求。（編輯：張均懋）1130520

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