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鴻海攻8吋碳化矽晶體 鴻揚9月生產電動車功率元件

2022/10/19 08:20(10/19 09:16 更新)
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(中央社記者鍾榮峰台北19日電)鴻海積極布局電動車第3代半導體碳化矽(SiC)功率元件,第3季啟動開發8吋SiC晶體,旗下鴻揚半導體9月已具備生產SiC MOSFET能力。

鴻海科技日18日舉行,展示電動車第3代半導體研發成果,現場工作人員說明,鴻揚半導體自行開發1200V碳化矽為基礎的金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET),已在9月開始產出,並結合不同功率元件設計。

在技術部分,工作人員指出,鴻揚在碳化矽元件已具備模擬能力,提供客戶製程參數,供元件設計參考,此外鴻揚也可提供製程代工服務、以及電性量測服務,提供具有競爭力的碳化矽功率元件。

展望應用,工作人員表示,鴻揚的1200V SiC MOSFET元件,可應用在車載AC/DC、DC/DC電流轉換器、車載充電器(OBC)、以及太陽光電逆變器等。

鴻海也展示與盛新材料合作6吋SiC導電型(N-type)晶圓基板產品,可應用在電動車、軌道交通、以及大功率輸電發電等領域。現場工作人員透露,第3季鴻海與盛新材料合作,開始研發8吋SiC晶體。

鴻海集團去年8月以新台幣25.2億元取得旺宏竹科6吋晶圓廠、布局碳化矽晶圓製造,以鴻揚半導體為主體,預計今年底產線建置完成,明年上線生產。(編輯:郭無患)1111019

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