傳三星逆勢操作擴大晶片產能 搶攻市占率

（中央社首爾26日綜合外電報導）韓國1家報紙昨晚報導指出，儘管預測顯示經濟可能放緩，三星電子公司（Samsung Electronics）仍打算明年在其最大半導體廠房提高晶片產能。

路透社報導，此舉與對手在需求下降和晶片過剩的情況下縮減投資形成鮮明對比。

分析師表示，三星堅持投資計畫可能有助其搶占記憶體晶片市場占有率，並在需求復甦時支撐股價。

「韓國經濟新聞」（Korea Economic Daily）引述不具名業界消息人士報導，三星計劃擴建其位於韓國平澤市的P3工廠，增加12吋DRAM產能。

報導還說，三星還將擴建廠房，增產4奈米晶片，這將根據與客戶所訂的代工合約進行。

今年開始生產儲存型快閃記憶體（NAND Flash）的P3，是三星最大的晶片製造工廠。

「韓國經濟新聞」報導還說，三星打算明年至少增加10台極紫外光微影（EUV）機台。

三星婉拒發表評論。（譯者：鄭詩韻/核稿：嚴思祺）1111226

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