三星HBM晶片因發熱問題 未通過輝達測試

（中央社首爾/新加坡24日綜合外電報導）3名知情人士表示，由於發熱和功耗問題，三星電子（Samsung Electronics Co.）最新的高頻寬記憶體（HBM）晶片尚未通過輝達（Nvidia）的測試。

路透社報導，消息人士表示，這些問題影響到三星HBM3晶片，以及這家韓國科技巨擘及其競爭對手今年推向市場的第5代HBM3E晶片。HBM3晶片是目前人工智慧（AI）圖形處理器（GPU）最常用的第4代HBM標準。

根據三星提供給路透社的聲明，HBM是一款客製化記憶體產品，需「根據客戶需求進行優化」，並補充說，三星正透過與客戶的密切合作來優化產品。三星拒絕對特定客戶置評。

HBM是一種動態隨機存取記憶體（DRAM）標準，於2013年首次推出，透過垂直堆疊節省空間並降低功耗，有助於處理複雜AI應用產生的大量資料。隨著生成式AI熱潮中對複雜GPU的需求激增，HBM的需求也跟著增加。

輝達在全球AI應用GPU的市占率大約是80%，滿足輝達的需求，無論是聲譽或利潤，都被視為HBM製造商未來成長的關鍵。

輝達拒絕置評。

3名消息人士表示，自去年以來，三星一直在努力通過輝達對HBM3和HBM3E的測試。根據兩位知情人士，最近對三星8層和12層HBM3E晶片的失敗測試結果已於4月公布。

目前尚不清楚這些問題是否易於解決，但3名消息人士表示，未能滿足輝達的要求加劇業界和投資人的擔憂。他們擔心三星在HBM方面，可能會進一步落後競爭對手SK海力士（SK Hynix）和美光科技公司（Micron Technology Inc.）。（譯者：陳昱婷/核稿：張曉雯）1130524

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