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美晶片法案申請補助 英特磊估有機會拿3至4成補助

2023/7/2 12:43(7/2 12:51 更新)
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英特磊表態申請美國晶片法案補助,英特磊董事長高永中表示,申請補助金額約新台幣9.3億元到15.5億元間,估有機會拿到30%到40%補助。圖為英特磊美國廠外觀。中央社記者蘇思云攝 112年7月2日
英特磊表態申請美國晶片法案補助,英特磊董事長高永中表示,申請補助金額約新台幣9.3億元到15.5億元間,估有機會拿到30%到40%補助。圖為英特磊美國廠外觀。中央社記者蘇思云攝 112年7月2日
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(中央社記者蘇思云台北2日電)三五半導體大廠英特磊(IET-KY)董事長高永中表示,提供高額補助的美國晶片法案對業者來說是千載難逢機會,補助金額愈高、條件就會愈嚴格,但英特磊已打入美國國防、航空、通訊等產業鏈,對申請補助相對樂觀。

根據英特磊規畫,晶片法案申請補助金額約在新台幣9.3億元到15.5億元間,估有機會拿到30%到40%補助。

美國為扶持本土半導體業發展提出晶片法案,祭出高額補助款,以達到讓晶片製造重回美國目標,不過,台積電已公開表示補助條件難以接受立場,目前仍持續與美國政府溝通中,環球晶也已表態申請。美國商務部6月下旬決定擴大晶片法案補助範圍,外界高度關注台廠供應鏈有沒有機會受惠。

高永中對中央社記者表示,晶片法案申請主要有3步驟,英特磊已經完成第一步遞交意願書,表達申請意願,美國政府目前收到400多份意願書,近期針對申請金額規模進一步做分類,申請金額3億美元(約新台幣93億元)以上的9月申請、3億美元以下的需更晚再申請,且相關細節還是可能隨時調整。

高永中表示,申請規模愈大、審查條件自然愈嚴格,英特磊規劃申請金額約在新台幣9.3億元到15.5億元間,跟大廠相比金額相對少,條件也沒那麼嚴格。最佳情況來說「每投資100元,可能拿到40元的回饋」,補助金額25%為稅務抵減優惠,另外5%到15%則視產品對美國產業鏈重要性、多樣性來決定比例。

「這是很難得的優惠條件,很多人說這是千載難逢(once in a lifetime)的機會」,高永中表示,因應晶片法案,英特磊規劃加速資本支出跟新購機台的速度,把未來10年的資本支出,縮短在5年內完成。

英特磊1999年成立於美國德州達拉斯,主要業務為化合物半導體磊晶片製造代工服務。高永中表示,台灣比較相似的廠商是穩懋、宏傑科等半導體公司,英特磊2013年在台灣上櫃,但整體營運主要在美國,目前超過一半客戶來自美國,也有歐洲、日本、台灣等地客戶,相關產品最終應用在無線通訊、夜視鏡、太空、軍事等應用。

由於英特磊在美國已打入國防、航空、商用通訊產業等領域,去年全年營收約新台幣8.93億元更創下公司歷史新高。高永中評估,以公司已經在美國營運多年跟申請金額規模來看,有機會拿到比例在30%到40%,實際金額還是要審查後才知道,若換算後,補助金額粗估落在2.8億元到6.2億元間。

至於台廠有沒有機會落地後取得晶片法案補助,高永中觀察,美國營運成本較高,開闢新市場自然存有風險,若台廠到美國只服務單一客戶,風險自然較高,但若能打入美國半導體體系,可望開拓更多機會。

高永中說,當初英特磊曾評估要在德州或加州設廠,考量德州地大、個人所得不需要繳交州稅,薪資、廠房等財務壓力較小,加上德州儀器在這邊,基礎建設完善、人才也容易找尋,因此選擇德州設廠。

至於晶片法案是否有可能帶來更多競爭者,高永中認為不用太擔心。他分析,化合物半導體產業歷經過去20年競爭,現在跟英特磊接近的公司並不多,若未來有廠商想來美國,產品也許也會有差異化。

此外,晶片法案也可以因此訓練出很多很好的工程師人才,整體來說帶來的優點更多。(編輯:林淑媛、楊凱翔)1120702

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