資策會：電動車碳化矽元件交期達42週 美日歐主導

（中央社記者鍾榮峰台北16日電）資策會MIC預估，今年全球電動車規模可到922.1萬輛，年成長逾48%，關鍵第三代半導體碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）供應吃緊，交期仍在42週以上，SiC供應鏈仍由美、日、歐盟等企業主導。

資策會產業情報研究所（MIC）15日到27日舉行「35th MIC FORUM Spring韌力」線上研討會。

展望今年全球電動車市況，資策會MIC資深產業分析師何心宇指出，俄羅斯與烏克蘭戰爭、中國大陸COVID-19疫情封城等短期不確定因素干擾，加上通膨排擠消費，電動車漲價趨勢持續，對銷量有一定影響，不過主要車廠優先保障電動車製造供應，預估今年全球電動車規模可到922.1萬輛，較去年622.3萬輛成長48%以上，2023年可突破千萬輛、達到1370萬輛。

觀察電動車車用晶片製程，MIC指出，車用晶片以成熟製程40奈米以上為主，其中傳統整車廠燃油車車用晶片製程約70%比重在40奈米至45奈米、25%為45奈米以上；至於電動車車用晶片製程45%以40奈米至45奈米為主、5%為45奈米以上。

何心宇表示，電動車帶動高階功率半導體包括第三代半導體碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）需求，目前SiC/GaN和車用金氧半場效電晶體（MOSFET）供應持續吃緊，交期仍在42週以上。

MIC指出，電動車帶動SiC功率半導體元件與模組需求，預估到2025年，全球20%比重的電動車將具備SiC功率元件和模組。

何心宇分析，未來SiC元件和模組成長驅動力包括應用在電動車主逆變器、車載充電OBC（On Board Charger），越來越多採用相關設計的新款電動車，將在今年下半年量產或交車；此外，SiC元件價格下降可帶動BOM（Bill of Material，物料清單）成本降低達到經濟效益；而800V和1200V架構電動車，SiC元件模組較車用絕緣閘雙極電晶體（IGBT）模組性能佳。

不過觀察全球大廠布局，MIC指出，全球SiC產業仍由美、日、歐盟等企業主導，其中美國Wolfspeed已實現4 吋、6吋產線量產，並開始建設8吋產線，Wolfspeed、日本Showa Denko雙寡占SiC磊晶市場。

至於在關鍵的SiC基板，MIC表示，導電型基板包括Wolfspeed、羅姆（ROHM）與意法半導體（STM）具有SiC全產業鏈生產能力；半絕緣型基板包括Wolfspeed、Showa Denko、ROHM、Qorvo、安森美（Onsemi）與恩智浦（NXP）具全產業鏈生產能力。（編輯：楊蘭軒）1110616

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