工研院攜手UCLA 開發新磁性記憶體

（中央社記者張建中新竹3日電）工研院與美國加州大學洛杉磯分校（UCLA）今天共同宣布，簽署VC-MRAM合作開發計畫，將合作開發下一代的磁性記憶體。

工研院表示，與UCLA的合作，將結合工研院的技術基礎，與UCLA的創新概念，將材料元件應用在記憶體晶片內進行運算儲存，期望未來能減少近百倍能耗，提升逾10倍速度，樹立創新記憶體新里程碑。

工研院電光系統所所長吳志毅指出，AI人工智慧、5G時代來臨，快速處理大量資料的需求暴增，半導體業者開始尋求成本更佳、速度更快、效能更好的解決方案。

吳志毅說，MRAM擁有與靜態隨機存取記憶體（SRAM）相當的寫入、讀取速度，兼具節能、可靠特色，近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶體與運算的新星。

工研院深耕MRAM技術多年，從元件創新、材料突破、電路優化等方式展開研究。吳志毅表示，工研院與UCLA的合作開發計畫，是工研院第1個獲得美國國防高等研究計畫署（DARPA）實際支持的合作案。

吳志毅說，未來雙方將深化在電壓控制式磁性記憶體（VC-MRAM）技術研發，攜手將低耗電與可靠度推進到新層次，進而協助台灣半導體產業搶攻消費電子、車用電子與人工智慧應用龐大商機，站穩供應鏈關鍵位置。（編輯：郭無患）1110303

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