創意、台積電、海力士成功開發第3代高頻寬記憶體

（中央社記者張建中新竹7日電）IC設計服務廠創意今天宣布，與台積電及SK海力士（Hynix）合作，成功開發第3代高頻寬記憶體（HBM3）平台，傳輸速度可達7.2Gbps。

創意今天發布新聞稿，宣布與台積電及SK海力士的合作成果。創意副總經理徐仁泰表示，創意的HBM3控制器和實體層，是奠基於過去在CoWoS/HBM2產品上長久以來的量產經驗。

徐仁泰指出，傳輸速度可達7.2Gbps，使得創意能隨時因應客戶對速度持續不斷升級的要求，協助客戶順利開發中央處理器、繪圖處理器、人工智慧及網路產品並快速量產。

創意表示，正在申請專利的中介層布線，支援任何角度的鋸齒形布線，並可將HBM3 IP拆分至兩個系統單晶片（SoC）上使用，還支援台積電的矽中介層（CoWoS-S）及有機中介層（CoWoS-R）技術。

SK海力士指出，透過這次合作，確認與創意在HBM生態系統內的合作關係，並驗證先進的HBM3解決方案，鞏固雙方於動態隨機存取記憶體（DRAM）市場的領導地位。（編輯：郭無患）1110707

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