工研院攜手台積電 開發前瞻磁性記憶體

（中央社記者鍾榮峰台北15日電）工研院今天宣布，與晶圓代工龍頭廠台積電合作，開發前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（SOT-MRAM）陣列晶片，可應用於人工智慧、車用電子、高效能運算等領域。

工研院電子與光電系統所所長張世杰表示，磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）有媲美靜態隨機存取記憶體（SRAM）的寫入、讀取速度，兼具快閃記憶體非揮發性，近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶體與運算的新星。

張世杰指出，記憶體若在高寫入速度的前提下，使用的電壓電流愈小，代表效率愈高。工研院與台積電共同開發的SOT-MRAM技術具備高寫入效率與低寫入電壓特性。

張世杰說，除可達到0.4奈秒高速寫入，還可達到7兆次讀寫的高耐受度，讀寫次數比歐洲半導體研究機構比利時微電子研究中心（imec）的技術多100倍，並有超過10年資料儲存能力，可整合成先進製程嵌入式記憶體，應用於人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域。

工研院還與陽明交通大學合作開發新興磁性記憶體的高效能運作技術，優化自旋轉移矩磁性記憶體（STT-MRAM）的多層膜與元件，提高寫入速度、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數等，工作溫度可自攝氏127度到零下269度，橫跨近400度，可應用於量子電腦及航太領域。

工研院表示，將在6月國外舉辦的超大型積體技術及電路國際會議中，發表與台積電及陽明交通大學合作的磁性記憶體相關論文，展現台灣在下世代記憶體技術的研發成果。（編輯：翟思嘉）1110615

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