產創條例修正祭護國神山群條款 拚台半導體技術領先

（中央社記者曾智怡台北8日電）美日韓等國競相砸重金發展半導體，為確保台灣前瞻技術領先地位，經濟部擬提出的產業創新條例修正案，加碼租稅優惠，企業研發投抵率有望比現行15%更高，先進製程設備抵減將不設金額上限。

經濟部強調，租稅優惠適用將不限半導體產業。不過，在三星、英特爾等國際大廠競相投注資源提升半導體製程先進技術之際，這項修法內容，被外界視為為穩固台積電及其相關供應鏈全球技術領先地位的「護國神山群條款」。

關於本次產業創新條例修正案修法重點，工業局官員表示，首先，企業研發投資抵減率，希望能優於現行產創條例第10條規定的支出金額15%；其次，購置先進製程設備投資抵減率，希望優於現行產創條例當年度5%或3年內3%的投抵率，且原先最高抵減金額為新台幣10億元，將放寬至沒有上限。

官員指出，因應國際情勢，日、韓、美、歐盟都砸「天價」資助國內半導體發展，以美國為例，相關預算一通過便是數百億美元，藉此拉攏前瞻技術在美國設廠；面對國際競爭世界，台灣應要在此關鍵時刻提出具體措施，維持現在競爭力。

官員表示，值得注意的是，2023年全球企業須滿足經濟合作暨發展組織（OECD）最低稅負15%，台灣也不例外，為避免過度租稅優惠，企業有效稅率要達到15%才可適用修法內容，因此預期稅收不會太低，每年固定稅收可能滾動成長。

官員強調，目前整體國際情勢對台灣並沒有很友善，台灣半導體多年經營成果，要維持前瞻技術領先地位，就要祭出更多措施，同時呼應國際精神。台灣租稅優惠也「沒有挑產業」，除半導體產業有機會申請，其他產業符合標準也可適用。（編輯：潘羿菁、林淑媛）1110608

本網站之文字、圖片及影音，非經授權，不得轉載、公開播送或公開傳輸及利用。