特斯拉電動車帶動SiC模組 台廠拚自主供應鏈

（中央社記者鍾榮峰台北7日電）電動車帶動功率半導體和模組需求，第三代半導體碳化矽（SiC）晶片與模組是重要關鍵，包括鴻海集團等台廠積極建立供應鏈，不過產業人士指出，台灣在SiC模組上游供應鏈可能出現斷層，政府應該積極重視。

電動車市場成長帶動關鍵功率半導體元件和模組需求，攸關變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等功能，也攸關電動車快速充電效能，其中以絕緣柵雙極電晶體（IGBT）模組和第三代半導體SiC晶片和模組最為重要。

第三代半導體材料是以碳化矽SiC及氮化鎵（GaN）為材料主流，相較傳統第一、二代材料如矽（Si）、砷化鎵（GaAs）等，第三代半導體具備尺寸小、效率高、散熱迅速等特性。適合應用在5G基地台、加速快充以及電動車充電樁等應用。

從高電壓和散熱功能來看，鴻海分析，第三代半導體SiC元件效能比GaN元件佳，可快速充電，用在車載領域SiC元件相對有優勢；在可靠度SiC元件也具有優勢。

產業人士表示，SiC模組目前主要是電動車大廠特斯拉（Tesla）帶動採用，導入逆變器和車載充電器應用，不過其他電動車廠採用SiC模組時間，最快也要到2023年。由於電動車用IGBT模組和SiC模組產線基本上可共用，因此台灣廠商除了布局電動車用IGBT模組，也同步開發SiC模組。

8月5日鴻海集團以新台幣25.2億元取得旺宏竹科6吋晶圓廠，強攻SiC元件晶圓製造，預估到2024年月產能可到1.5萬片，因應每月3萬輛電動車製造所需功率元件，鴻海藉此欲在電動車功率元件和模組站穩先機。

其他台廠也積極布局SiC模組，例如二極體廠朋程在SiC模組代工機種預計今年第4季導入量產，布局IBGT 模組的同時，朋程也與IBGT模組客戶洽商SiC模組計畫，透過與日系SiC晶片客戶合作，朋程超前部署先在SiC 模組及封裝累積經驗。

此外台廠也前進SiC模組上游供應鏈，例如晶圓代工廠漢磊和轉投資磊晶矽晶圓廠嘉晶布局SiC與GaN等第三代半導體；太極能源與母公司廣運轉投資盛新材料，布局SiC長晶和切晶；被動元件大廠國巨集團旗下同欣電）與成功大學合作開發活性金屬硬焊製程級材料自製化，布局高功率GaN及SiC封裝用陶瓷基板。

不過從國際大廠來看，包括Cree、Ⅱ-Ⅵ、英飛凌（Infineon）、意法半導體（STM）、羅姆半導體（ROHM）、三菱電機（Mitsubishi）、富士電機（Fuji Electric）等，已先在SiC晶圓領域卡位，製造以6吋或8吋晶圓為主；而台廠目前以4吋為主，6吋晶圓技術尚未規模化生產。

產業人士指出到2023年之前，台廠與客戶在SiC模組仍處於產品開發與樣品驗證階段，且台灣半導體產業在研發SiC晶片，在前段磊晶和長晶製程仍有待努力，自主供應鏈可能出現斷層，政府應積極重視。

展望SiC模組發展，產業人士分析，電動車成本最高的前3大項就是電池、電機和電控系統，若一般電動車電控系統內建SiC模組，電控系統成本可能超越電池躍居第1，影響電動車售價；若SiC模組和IGBT模組價差縮小至3倍到5倍，SiC模組在電動車市場才有機會提高滲透率。（編輯：郭無患）1100807

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