南亞科：DRAM市場上半年可望復甦 衝刺高價值產線
（中央社記者張建中新竹28日電）動態隨機存取記憶體（DRAM）廠南亞科預期，常規DRAM市場可能在上半年開始復甦，公司將積極調整產線，朝DDR5、LPDDR5等高價值產品線發展，盡快達成轉虧為盈目標。
南亞科董事長吳嘉昭在營業報告書中表示，2025年起個人電腦、手機及消費性電子產品可望回溫，加上業者庫存逐季改善，常規DRAM市場可能在上半年開始復甦。
吳嘉昭指出，伺服器整體出貨可望持續成長，將帶動高頻寬記憶體（HBM）與高容量DDR5模組出貨增長。手機業者庫存逐步回到正常水位，且因導入人工智慧（AI）功能，預期整體手機出貨量及DRAM搭載量可望成長。
個人電腦方面，吳嘉昭說，因作業系統更新，帶動企業換機需求，且隨著AI PC推出，DRAM搭載量將同步增長。
吳嘉昭表示，其他消費性電子產品需求，短期因中國刺激方案改善需求，加上庫存降低推升單價，但美國對等關稅引起終端需求的不確定性，後續仍需持續觀察。
至於技術發展，吳嘉昭指出，南亞科預計今年完成16Gb DDR5微縮版及16Gb LPDDR4驗證，另外8Gb及16Gb LPDDR5產品也將導入試產。使用10奈米3世代製程技術的先導產品將於2025年下半年進入試產，使用10奈米第4世代製程技術的先導產品將於2026年第1季導入試產。
請輸入正確的電子信箱格式吳嘉昭說，AI相關高頻寬記憶體（HBM）產品需要以下關鍵元素，包括高密度先進產品16Gb DDR5、3D IC矽穿孔製程（TSV）及多晶片封裝、高頻寬產品設計、邏輯基礎IC。
吳嘉昭表示，南亞科自2017年開始重建自主研發團隊，已推出2個10奈米級世代產品技術，於2024年底量產第2世代的16Gb DDR5。目前正積極重建TSV及多晶片封裝，與高頻寬產品設計能力。同時以策略性投資及合作建構邏輯基礎IC及HBM整合，預計2026年底達驗證目標。（編輯：潘羿菁）1140428
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