道瓊創新高費半卻弱勢 法人：通膨疑慮升高影響

（中央社記者張建中台北11日電）美股道瓊指數改寫新高，費城半導體指數卻下挫1.2%。法人表示，主要是美國聯邦參議院通過加強基礎建設現代化法案，通膨疑慮升高，影響資金自風險較高的科技股流出。

美國聯邦參議院通過總金額1.2兆美元的加強基礎建設現代化法案，激勵道瓊工業指數上漲162.82點，漲幅約0.46%，以35264.67點作收，收在新高。

只是科技股那斯達克指數卻收低，下挫72.09點，跌幅約0.49%，費城半導體指數表現更加弱勢，下跌40.89點，跌幅約1.2%。

國內法人指出，美國參議院通過基建法案激勵鋼鐵等原物料股走揚，較特別的是銀行股同步走高，推升道瓊指數創高。

美國基建法案通過後，未來大量的基礎建設可能帶動原物料價格走揚，通膨疑慮升高，市場預期聯邦準備理事會（FED）的貨幣政策可能隨之調整，後續利率看升，銀行股可望因而受惠。

法人指出，隨著通膨疑慮升高，市場資金自風險性較高的科技股流出，是影響那斯達克及費城半導體指數在道瓊指數創高之際卻反向走跌的主因。

半導體供應鏈近年產能嚴重吃緊，據調查研究發現，全球晶片短缺問題持續惡化，晶片採購的交期已拉長到20週以上。法人分析，這顯示半導體產能持續供不應求，對半導體製造廠應是利多，至於IC設計廠則須視產能取得狀況而定。

由於智慧手機、電視與筆記型電腦市場需求陸續傳出雜音，個人電腦用標準型動態隨機存取記憶體（DRAM ）現貨價走跌，為半導體未來景氣添增變數，後續變化可能牽動半導體股表現，值得追蹤留意。（編輯：林淑媛）1100811

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