南亞科建置10奈米試產線 資本支出追加65.6億元

（中央社記者張建中新竹6日電）動態隨機存取記憶體（DRAM）廠南亞科董事會今天決議追加新台幣65.6億元資本支出預算，主要因應建置10奈米級製程試產線。

南亞科自主技術發展獲重大突破，成功開發出10奈米級DRAM新型記憶胞技術，第一代產品預計下半年試產。

因應10奈米級製程研發及試產，加上20奈米遞延的資本支出，南亞科董事會於2月26日通過今年度資本支出預算案，金額以不超過92億元為上限。

為建置10奈米級製程試產線，南亞科董事會今天決議新增今年度資本支出預算，金額以不超過65.6億元為上限，南亞科今年資本支出預算以不超過157.6億元為上限。（編輯：張均懋）1090506

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