半導體資本支出今年可望增15% 明年恐減12%

（中央社記者張建中新竹30日電）今年半導體業資本支出可望首度突破1000億美元大關，達1071億美元，將增加15%，研調機構IC Insights預期，明年半導體資本支出可能趨緩，將減少12%。

IC Insights預期，三星(Samsung)今年資本支出可能比去年的242億美元減少，不過，仍將維持在226億美元高檔水準，還是會居全球半導體業之冠。

三星近2年資本支出合計將高達468億美元規模，IC Insights表示，除三星大舉支出，SK海力士(Hynix)等競爭對手支出也相當積極，已造成3D儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產能過剩。

IC Insights指出，海力士今年半導體資本支出可能增加58%，增加的支出將主要集中在韓國的3D NAND Flash廠與中國無錫的動態隨機存取記憶體(DRAM)廠。

IC Insights說，當前動態隨機存取記憶體(DRAM)市場疲軟，可能延續到明年上半年，三星、海力士與美光(Micron)3大DRAM供應商的資本支出，可能從2018年的454億美元，下滑到2019年的375億美元，減少17%。

IC Insights預期，明年整體半導體業資本支出可能較今年減少12%；其中，三星、英特爾(Intel)、海力士、台積電與美光5大廠明年資本支出將減少14%，其餘的半導體廠明年資本支出減少幅度可能較小，將減少約7%。（編輯：郭萍英）1071130

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