中央社訊息平台
歡迎公司行號投遞新聞訊息!詳洽業務行銷中心 人工服務時間為週一至週六9:30-12:00、14:00-18:30 如有週日發稿需求請於週六18:00前完成刊登程序。

Toshiba第三代碳化矽肖特基柵極二極體產品系列增添1200 V新成員,將推動工業電源設備實現高效率

發稿時間:2024/09/25 18:23:53

(中央社訊息服務20240925 18:23:53)日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(「Toshiba」)已在第三代碳化矽(SiC)肖特基柵極二極體(SBD)產品線中增添「TRSxxx120Hx系列」1200 V產品,應用於光伏逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業設備。Toshiba現已開始提供該系列的十款新產品,其中包括採用TO-247-2L封裝的五款產品和採用TO-247封裝的五款產品。
本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此: https://www.businesswire.com/news/home/20240924982521/zh-HK/
最新TRSxxx120Hx系列為1200 V產品,它採用Toshiba第3代650 V SiC SBD的改進型接面柵極肖特基(JBS)結構 [1]。在接面柵極中使用新型金屬,有助於這些新產品實現前沿的[2]1.27 V(典型值)低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。
Toshiba將繼續壯大其SiC電源器件的產品線,並將一如既往地專注於提高效率,降低工業電源設備功耗。
備註:
[1]改進型JBS結構:該結構將混合式PiN肖特基(MPS)結構整合在JBS結構中,MPS可在大電流下降低正向電壓,而JBS不僅可降低肖特基介面的電場,還可減少電流洩漏。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的Toshiba調查。
應用
• 光伏逆變器
• 電動汽車充電站
• 用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統(UPS)
功能
• 第3代1200 V SiC SBD
• 前沿的[2]低正向電壓:V F =1.27V(典型值)(I F =I F(DC) )
• 低總電容電荷:TRS20H120H 的Q C =109nC(典型值)(V R =800V,f=1MHz)
• 低反向電流:TRS20H120H的I R =2.0μA(典型值)(V R =1200V)
主要規格
(除非另有說明,否則T a =25°C)
器件型號 封裝 絕對最大額定值 電氣特性 樣品查看與
供貨情況
重複峰值反向
電壓
V RRM
(V) 正向
直流
電流
I F(DC)
(A) 非重複
峰值正向
浪湧電流
I FSM
(A) 正向電壓
(脈衝測量)
V F
(V) 反向電流
(脈衝測量)
I R
(μA) 總電容電荷
Q C
(nC)
溫度條件
T c
(°C) f=50Hz
(半正弦波,t=10ms),
T c =25°C I F =I F(DC) V R =1200V V R =800V, f=1MHz
典型值 典型值 典型值
TRS10H120H
TO-247-2L 1200 10 160 80 1.27 1.0 61 線上購買

TRS15H120H
15 157 110 1.4 89 線上購買

TRS20H120H
20 155 140 2.0 109 線上購買

TRS30H120H
30 150 210 2.8 162 線上購買

TRS40H120H
40 147 270 3.6 220 線上購買

TRS10N120HB
TO-247 5(每個引腳)
10(兩個引腳) 160 40(每個引腳)
80(兩個引腳) 1.27
(每個引腳) 0.5
(每個引腳) 30
(每個引腳) 線上購買

TRS15N120HB
7.5(每個引腳)
15(兩個引腳) 157 55(每個引腳)
110(兩個引腳) 0.7
(每個引腳) 43
(每個引腳) 線上購買

TRS20N120HB
10(每個引腳)
20(兩個引腳) 155 70(每個引腳)
140(兩個引腳) 1.0
(每個引腳) 57
(每個引腳) 線上購買

TRS30N120HB
15(每個引腳)
30(兩個引腳) 150 105(每個引腳)
210(兩個引腳) 1.4
(每個引腳) 80
(每個引腳) 線上購買

TRS40N120HB
20(每個引腳)
40(兩個引腳) 147 135(每個引腳)
270(兩個引腳) 1.8
(每個引腳) 108
(每個引腳) 線上購買

如需瞭解新產品的更多資訊,請造訪以下連結:
TRS10H120H
TRS15H120H
TRS20H120H
TRS30H120H
TRS40H120H
TRS10N120HB
TRS15N120HB
TRS20N120HB
TRS30N120HB
TRS40N120HB
如需瞭解有關Toshiba SiC SBD的更多資訊,請造訪以下連結:
SiC肖特基柵極二極體
第3代SiC肖特基柵極二極體(SBD)
如需瞭解有關Toshiba SiC電源裝置的更多資訊,請造訪以下連結:
SiC電源裝置
如需瞭解線上分銷商新產品的供貨情況,請造訪:
TRS10H120H
線上購買
TRS15H120H
線上購買
TRS20H120H
線上購買
TRS30H120H
線上購買
TRS40H120H
線上購買
TRS10N120HB
線上購買
TRS15N120HB
線上購買
TRS20N120HB
線上購買
TRS30N120HB
線上購買
TRS40N120HB
線上購買
* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本文件中的產品價格和規格、服務內容和聯絡方式等資訊,在公告之日為最新資訊,但如有變更,恕不另行通知。
關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球的19,400名員工致力於充分提高產品價值,並促進與客戶的密切合作,共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。
如需瞭解更多資訊,請訪問 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

請前往 businesswire.com 瀏覽源版本: https://www.businesswire.com/news/home/20240924982521/zh-HK/

CONTACT:
客戶諮詢:
電源裝置與小訊號裝置銷售與行銷部
電話:+81-44-548-2216
聯絡我們
媒體諮詢:
Chiaki Nagasawa
數位行銷部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp