Toshiba 推出小巧輕薄型共汲極 MOSFET，導通電阻極低，適合快速充電設備

(中央社訊息服務20230519 09:40:21)日本川崎--(美國商業資訊)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (下稱「Toshiba」) 推出了「SSM14N956L」，這是一款額定電流為 20A 的 12V 共汲極 N 溝道 MOSFET，用於鋰離子 (Li-ion) 電池組 (例如行動裝置電池組) 的電池保護電路中。今天開始發貨。

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鋰離子電池組依靠高度穩健的保護電路來減少充電和放電時產生的熱量並提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性，需要能夠提供低導通電阻的小巧輕薄型 MOSFET。

SSM14N956L 採用 Toshiba 的微工藝，已經發佈的 SSM10N954L 也是如此。這就確保了低功率損耗 (由於行業領先的[1] 低導通電阻特性) 和低待機功率 (透過行業領先的[1]低閘源汲電流特性實現)。這些品質有助於延長電池的工作時間。新產品還採用了全新的小型薄型封裝 TCSPED-302701 (2.74mm x 3.0mm，t = 0.085mm (typ.))。

Toshiba 將繼續開發 MOSFET 產品，用於鋰離子電池組供電裝置中的保護電路。
應用
• 使用鋰離子電池組的消費類電子產品和辦公及個人裝置，包括智慧手機、平板電腦、行動電源、可穿戴裝置、遊戲機、電動牙刷、小型數位相機、數位單眼相機等。
特點
• 行業領先的[1]低導通電阻：RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V
• 行業領先的[1]低閘源汲電流：IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V
• 小巧輕薄型 TCSPED-302701 封裝：2.74mm x 3.0mm, t=0.085mm (typ.)
• 共汲極結構，可輕鬆用於電池保護電路中
注意：
[1]：在具有相同評級的產品中。截至 2023 年 5 月的資料，基於 Toshiba 的調查結果。
主要規格
(除非另有說明，Ta=25°C)
部件編號 SSM14N956L
SSM10N954L[2]

組態 N-channel common-drain
絕對
最大
額定值 源極電壓 VSSS (V) 12
閘極電壓 VGSS (V) ±8
拉電流 (直流) IS (A) 20.0 13.5
Electrical
Characteristics 閘極汲電流 IGSS
max (μA) @VGS＝ ±8V ±1
源極
導通電阻 RSS(ON)
typ. (mΩ) @VGS＝4.5V 1.00 2.1
@VGS＝3.8V 1.10 2.2
@VGS＝3.1V 1.25 2.4
@VGS＝2.5V 1.60 3.1
封裝 名稱 TCSPED-302701 TCSPAC-153001
典型尺寸 (mm) 2.74x3,
t=0.085 1.49x2.98,
t=0.11
抽樣檢查和供貨情況 線上購買
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SSM14N956L
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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 是先進半導體和存儲解決方案的領先供應商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統 LSI 和 HDD 產品。
公司在全球各地的 2.15 萬名員工同心同德，竭力實現公司產品價值的最大化，同時重視與客戶的密切合作，促進價值和新市場的共同創造。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 期待在近 8000 億日元 (61 億美元) 的年度銷售額基礎上再接再厲，為全人類創造更加美好的未來。
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