涉向中國外洩DRAM晶片技術 前三星電子工程師被捕

（中央社首爾3日綜合外電報導）韓國警方今天表示，1名前三星電子工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才，加上向中國成都高真科技（CHJS）洩漏20奈米DRAM記憶體晶片技術，遭逮捕並移送檢方。

韓聯社報導，首爾警察廳產業技術安全偵查隊今天指出，64歲前三星電子（Samsung Electronics）工程師因涉嫌違反「職業安定法」被捕，並移送首爾中央地方檢察廳。

據報導，該男曾以顧問身分參與創立成都高真公司，同時期還在韓國成立獵頭公司，以至少2至3倍的優渥薪資挖角三星電子核心技術人才，協助在中國「復刻」動態隨機存取記憶體（DRAM）工廠，並於2022年4月成功生產半導體晶圓。

這座DRAM工廠從完工到投產僅費時1年3個月。一般來說，晶圓從測試到量產通常需要4至5年。

韓國警方提到，外流技術的經濟價值高達4兆3000億韓元（約新台幣998億元），若考慮相關經濟效益，實際損失規模更加龐大。

除了這名前工程師，還有以相同手法挖角韓國半導體人才的2位獵頭公司代表及法人被移送法辦。據悉獵頭公司已替成都高真挖角逾30名技術人員。

儘管韓國國家關鍵技術外流，警方只能根據刑責較輕的「職業安定法」、而非「產業技術保護法」來逮捕涉案嫌犯。

警方解釋，根據現行法規，以「挖角」方式外流技術的行為不屬於「產業技術保護法」規定的懲處範圍，因此有必要針對相關法律進行修法，以嚴懲商業間諜。

報導指，包括前三星電子工程師在內，成都高真技術外洩案共有21人遭移送法辦。

成都高真創辦人、前三星電子常務兼前SK海力士（SK Hynix）副社長崔珍奭等人則已被捕，他們涉嫌違反「產業技術保護法」及「防止不正當競爭及商業秘密保護法」。（編輯：洪培英/核稿：施施）1131203

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