路透：韓半導體名人崔珍奭否認竊取三星機密

（中央社首爾30日綜合外電報導）一名遭控工業間諜罪被判刑入獄的三星電子前高層，否認他試圖利用三星電子開發的敏感訊息在中國「復刻」三星晶片廠的指控。

韓國半導體業知名人物崔珍奭在給路透社的一封手寫信中，詳細闡述他的辯詞，這是他自5月25日被關押以來首次向媒體發表評論，並表示有關西安廠的指控並未得到證實。

韓國檢方6月稍早在起訴書中指控崔珍奭非法獲取三星的商業機密，意圖在距離中國西安三星工廠僅1.5公里的地方建造半導體廠。

崔珍奭被關押在首爾以南城市水原市一處拘留中心，三星總部就在水原市。他先前透過律師否認所有指控。

崔珍奭在信中表示，原本計劃要替鴻海打造新廠，對DRAM記憶體晶片進行早期測試生產，三星西安廠生產的則是儲存型快閃記憶體（NAND Flash）。

崔珍奭表示，DRAM製程技術與製造NAND快閃記憶體有30%以上的不同，DRAM製程更加複雜，而且製造這兩種晶片所使用的一些設備也不同。

崔珍奭在信中表示：「他們使用不同的設備，而（三星）NAND快閃記憶體設備的設計對我們來說確實沒有用處。」

路透社採訪幾名未參與此案的半導體業專家證實，生產NAND和DRAM的製程和使用的設備有差異，但沒有具體說明。

三星以調查正在進行為由拒絕置評。（譯者：陳昱婷/核稿：劉文瑜）1120630

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