成大研發高導電耐磨高熵材料 可應用到半導體等產業
（中央社記者張榮祥台南4日電）成功大學今天宣布成功研發高導電且耐磨的高熵材料，將可延伸應用到半導體、連接器、通訊、被動元件等相關產業，帶來突破性革命。
成功大學今天發布新聞稿指出，成大電機系教授施權峰組成跨領域高熵團隊，結合成大材料系教授劉浩志、許文東，以及台灣師範大學光電所教授楊承山與成大博士生葉政賢等人，運用鍍膜、計算材料科學、太赫茲（兆赫）光電子學、原子級表面技術，成功研發全新高熵材料，兼具導電又耐磨特性；這項成果已刊登在國際頂尖期刊Nature communications，引起關注。
成大表示，高熵材料由多個主要元素在接近等莫耳下組合而成，是近年材料科學最熱門領域，元素多樣化組合突破傳統限制，讓週期表產生新生命，也開啟材料應用創新選擇。
團隊研究從光學、力學、電學與計算材料科學的學理出發，提出高熵材料可透過元素線性組合設計電導，並證明電子傳輸行為與電子有效質量、電漿頻率與鬆弛時間有關聯，這是高熵材料領域重要發現，在此基礎上，未來高熵材料設計將更寬廣。
施權峰說，這項研究是跨領域合作成果，在高熵合金導電機制學理上有重要貢獻，將可延伸應用到半導體、連接器、通訊、被動元件等相關產業，帶來突破性革命。
許文東指出，高熵合金過往研究著重在機械性質，但對光學性質及電性質研究可拓展應用在半導體領域，令人興奮，透過模擬計算，開發高熵合金光學性質及電性質預測模型，加速在光電半導體應用上，有助推向產業化。
劉浩志表示，高熵材料研究已由學理探討進入產業應用階段，此次將高導電低磨耗高熵材料應用在掃描探針量測技術，確切展現高熵材料優勢，也開啟更多產業關鍵技術提升可能。
楊承山說，高熵材料全新電子傳輸與光學特性將決定應用場域，如何從基礎物理出發，發展出適合量測手段及描繪出機制，將有助提升未來光電半導體元件效能及設計理念。（編輯：陳仁華）1130704
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