儀科中心攜天虹科技 高階半導體設備自製邁大步

（中央社記者張建中新竹8日電）國家實驗研究院儀器科技研究中心與天虹科技合作，成功開發12吋叢集式原子層沉積先進設備，開創國內高階半導體設備自製的新局面。

因應電子產品微縮化需求，半導體朝向奈米超薄膜製程發展，儀科中心表示，原子層沉積技術（ALD）具有極佳的薄膜沉積均勻性與厚度控制，成為半導體產業一項主流技術。

儀科中心自2004年起深耕開發ALD技術，是國內具備客製化ALD設備及製程能力的研究單位，至2020年已客製開發20多台各式ALD設備，應用於太陽能和光學薄膜等領域，只是半導體製程技術仍受制於國外設備商。

儀科中心2018年起與國內半導體設備廠天虹科技合作，整合雙方技術共同開發12吋量產型叢集式ALD設備，於2019年完成設備開發及12吋氧化鋁薄膜製程驗證，應用於Mini-LED及Micro-LED上作為鈍化保護層。

天虹科技的12吋叢集式ALD設備已獲得發光二極體（LED）廠訂單，並與國內半導體廠及材料商共同開發先進製程，如前段的高介電係數絕緣層、微機電等高階應用，開創國內高階半導體設備自製的新局面，期能增進半導體產業國際競爭力。（編輯：楊凱翔）1090908

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