突破MRAM技術瓶頸 清大團隊成果全球首創

（中央社記者蔡芃敏台北14日電）清華大學團隊以電子自旋流操控磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）中的磁性，突破瓶頸，成果全球首創，並預計4年後要做出下世代MRAM，盼為國內產業帶來關鍵影響。

科技部今天舉行「不失憶的記憶體—全球首例自旋流解密MRAM關鍵瓶頸」研究成果發表記者會，由國立清華大學材料系教授賴志煌與物理系教授林秀豪組成的研究團隊，成功以電子自旋流操控磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）中的磁性，也創下全球首例。這項成果在今年2月刊登在國際頂尖期刊「自然材料」。

賴志煌指出，全球大廠均投入研發MRAM，因為MRAM兼具處理與儲存資訊的功能，且斷電時，資訊不會遺失，電源開啟可即時運作，耗能低、讀寫速度快特性。他進一步指出，誰能掌握電子自旋、磁性記憶體關鍵技術，就能掌握未來記憶體及半導體產業動脈。

不過，賴志煌表示，MRAM過去遭遇技術瓶頸，因為在改變磁性時，必須先將元件加熱，然後以外加磁場來改變磁性，再降溫。他舉例，「你會先把手機拿去加熱後，等它降溫嗎？」，因為這項特性讓MRAM不具實用性。

而清華大學團隊突破MRAM研發的痛點，林秀豪表示，利用電子本身的自旋流，在MRAM三明治結構裡被釘鎖住的鐵磁層加上一層奈米級白金，兩者就像保齡球中會旋轉的飛碟球與粗糙跑道，在交互作用下成功改變磁性。這項突破讓MRAM可以自由改變磁性，不需要加熱，可以避免元件受到熱傷害。

清大團隊表示，根據科技部的射月計畫時程，預計在4年後要做出下世代MRAM，期盼成國內記憶體、半導體產業的一大助力，帶來關鍵影響。（編輯：黃國倫）1080314

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