華邦電：記憶體下半年續吃緊 漲價效應第2季顯現

（中央社記者張建中新竹19日電）記憶體廠華邦電總經理陳沛銘表示，DRAM與Flash供給吃緊情況可能延續到下半年，漲價效應可望於第2季顯現，預期記憶體營收將於3、4月較高成長。

華邦電下午舉行線上法人說明會，陳沛銘說，隨著利基型記憶體主要供應商將動態隨機存取記憶體（DRAM ）產能，轉為生產影像感測器（CIS），使得DDR3供給吃緊。

快閃記憶體（Flash）方面，陳沛銘表示，單層式儲存型快閃記憶體（SLC NAND Flash）供給越來越少，編碼型快閃記憶體（NOR Flash）也因中國大陸晶圓代工廠將產能轉為生產邏輯晶片產品，使得市場供不應求。

陳沛銘說，美國德州近日遭遇百年來最嚴重暴風雪，英飛凌當地有廠生產車用NOR Flash，只是本來產能就很吃緊，預期華邦電應不會立即受惠，不過，是否有助加速擴展車用市場，有待進一步觀察。

陳沛銘預期，DRAM與Flash供給吃緊情況可望同步延續到下半年。他透露，目前與客戶議價的時間縮短，漲價效益將於第2季顯現，3、4月記憶體營收應可較高成長。

至於自行開發的25奈米製程，陳沛銘表示，目前良率已達業界水準，去年第4季25奈米製程營收比重已達20%，目前占DRAM投片比重達50%水準。

陳沛銘說，微縮版25奈米製程開發順利，已接近完成階段，將會先在台中廠試產，並與客戶進行產品驗證合作，高雄廠預計明年上半年引進機台，並隨即展開試產，明年第4季將會以微縮版25奈米製程小量產出，2023年開始貢獻營收。（編輯：趙蔚蘭）1100219

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