DRAM合約價下跌壓力未除 記憶體開高走低

（中央社記者張建中新竹18日電）動態隨機存取記憶體（DRAM）現貨價近日因日韓貿易戰疑慮展開反彈走勢，但因合約價下跌壓力未除，南亞科等記憶體族群今天股價紛紛開高走低。

日本4日起加強管制光阻劑等3項關鍵電子材料出口南韓，市場高度關注三星（Samsung）與SK海力士（Hynix）兩大記憶體廠營運是否受到影響。

繼儲存型快閃記憶體（NAND Flash）報價傳出上漲1成後，DRAM現貨價也出現強勁反彈走勢，漲幅也達1成水準。

南亞科總經理李培瑛先前認為，隨著旺季需求升溫，DRAM現貨價可望搶先反彈，只是合約價恐持續走跌。

市調機構集邦科技預期，DRAM供應商庫存水位高於3個月，合約價持續走跌，未見反轉向上跡象，日本管制材料出口南韓事件造成DRAM供需出現結構性反轉可能性低。

南亞科等記憶體族群今天在DRAM現貨價反彈消息激勵下，股價跳空開高，只是隨後賣壓出籠，股價紛紛震盪走低；其中，南亞科股價一度達新台幣66.7元，跌1元，跌幅1.47%。（編輯：張良知）1080718

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