台積電三星 明年強攻3D IC封裝
2014/12/31 07:35
(中央社記者鍾榮峰台北31日電)資策會MIC表示,明年包括美光、三星、海力士及台積電等半導體大廠,持續精進推出3D IC封裝技術。
資策會產業情報研究所(MIC)指出,全球首顆3D IC異質整合晶片HMC(Hybrid Memory Cube),將在明年正式量產,由記憶體大廠美光(Micron)和三星(Samsung)為首的混合記憶體立方聯盟(HMCC)推出。
資策會MIC表示,混合記憶體立方HMC,以3D IC技術堆疊多層動態隨機存取記憶體(DRAM)和一層邏輯晶片,屬於異質整合晶片。
另一方面,資策會MIC指出,記憶體大廠海力士(Hynix)明年也將推出高頻寬記憶體HBM(High Bandwidth Memory),以3D IC技術堆疊四層DRAM,屬於同質整合晶片。
台積電明年在3D IC領域,也可望明顯進展。資策會MIC表示,台積電明年推出最新的InFO(Integrated Fan Out)封裝技術,成本將低於目前2.5D IC層級的CoWoS技術。
MIC指出,台積電InFO封裝技術,可因應物聯網及穿戴式裝置所需晶片輕薄短小趨勢。1031231
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