聯電晉華結盟 DRAM市場起波瀾
2016/5/13 21:35
(中央社記者張建中台北13日電)聯電接受中國大陸福建省晉華集成電路委託,開發DRAM相關製程技術,工研院IEK認為,短期應不致對產業造成影響,但未來仍不排除可能對市場造成干擾。
中國大陸積極朝向記憶體領域發展,除合肥市政府與日本爾必達前社長坂本幸雄合作,還有紫光及武漢新芯也傳出有意進軍動態隨機存取記憶體(DRAM)市場。
福建省政府投資的晉華集成電路又找上晶圓代工廠聯電合作開發DRAM相關製程技術。
聯電今天指出,將在南科廠籌組超過 100人團隊,投入利基型DRAM相關生產製程開發,初期將先開發32奈米製程技術,將由晉華提供DRAM特用設備,並依開發進度支付技術報酬金作為開發費用。
除在技術開發時期有開發權利金入帳外,聯電表示,未來投產後,晉華也將再支付權利金;另外,透過DRAM技術與邏輯技術結合,還有助強化聯電在系統單晶片(SOC)方面的競爭力。
對於聯電與晉華合作開發利基型DRAM製程技術,國內DRAM廠南亞科態度低調,並不評論。
工研院產業經濟與趨勢研究中心系統IC與製程研究部經理彭茂榮表示,聯電仍未投入技術開發,晉華也尚未建廠,估計至少1年內不會對DRAM產業造成影響。
只是目前中國大陸業者尚未跨入DRAM市場,市場波動即已相當劇烈,彭茂榮說,今年DRAM產品平均售價恐將下滑30%,產值將較去年衰退15%,預期未來隨著中國大陸廠商陸續搶進後,仍不排除對DRAM市場造成干擾。1050513
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